今日，嘉興南湖區(qū)發(fā)布信息稱，南湖區(qū)有14個項目入選浙江省“千項萬億”工程，其中披露了有3個項目將于今年投產(chǎn)：分別為金瑞泓微電子（嘉興）年產(chǎn)480萬片300毫米大硅片生產(chǎn)基地建設(shè)項目、嘉興斯達(dá)微電子有限公司高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、浙江華嘉達(dá)電纜年產(chǎn)1.9萬千米高端高性能電線電纜新建項目。
具體信息披露顯示，嘉興斯達(dá)微電子有限公司高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目計劃于今年3月投入使用，總投資20億元，投產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)36萬片功率芯片生產(chǎn)能力，年產(chǎn)值10億元，可實現(xiàn)年稅收4億元。
2021年6月，斯達(dá)半導(dǎo)體募資35億元建設(shè)4個項目。其中，與碳化硅相關(guān)的2個項目——“SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”和“功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動化改造項目”落戶浙江省嘉興市南湖區(qū)。
2022年6月，嘉興斯達(dá)的碳化硅項目入選2022年省重點(diǎn)建設(shè)和預(yù)安排項目計劃；2023年4月，上述2個SiC項目的兩幢廠房宣布開始調(diào)試設(shè)備，其他廠房正在等待驗收，目前可以確定該項目可以于本月正式投產(chǎn)。
斯達(dá)半導(dǎo)體作為IGBT國產(chǎn)化先鋒，目前正在率先卡位SiC開啟第二成長曲線。公司業(yè)務(wù)覆蓋低/中/高壓IGBT模塊、MOSFET模塊等產(chǎn)品，還提供變頻器、光伏、新能源車等應(yīng)用的全方位解決方案。
2023年上半年，斯達(dá)就已表示應(yīng)用于乘用車主電機(jī)控制器的SiC MOSFET模塊正在持續(xù)放量，同時公司使用自主SiC MOSFET芯片的車規(guī)級SiC MOSFET模塊在主電機(jī)控制器客戶完成驗證并小批量出貨。
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