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近日，據(jù)紅旗研發(fā)新視界官微消息，由研發(fā)總院新能源開發(fā)院功率電子開發(fā)部牽頭與國內(nèi)知名碳化硅芯片企業(yè)聯(lián)合開發(fā)的紅旗首款電驅(qū)用750V HPD全國產(chǎn)框架灌封式碳化硅功率模塊A樣件試制完成，并搭載于E009車型逆變器A樣機(jī)開展功能、性能試驗(yàn)。本次下線標(biāo)志著紅旗品牌向自主掌控功率變換核心技術(shù)邁出了重要一步。

HPD功率模塊A樣件

據(jù)悉，HPD碳化硅功率模塊A樣件創(chuàng)新采用直流功率端子母排疊層結(jié)構(gòu)、高可靠Clip銅夾連接、高散熱水滴PinFin散熱水道、環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)以及高耐溫銀燒結(jié)芯片貼裝工藝，實(shí)現(xiàn)模塊寄生電感≤7.5nH，模塊持續(xù)工作結(jié)溫175℃，輸出電流有效值達(dá)到620A。

此外，今年4月，研發(fā)總院新能源開發(fā)院功率電子開發(fā)部與中國電子科技集團(tuán)第55研究所聯(lián)合開發(fā)的紅旗首款全國產(chǎn)電驅(qū)用1200V塑封2in1碳化硅功率模塊A樣件試制完成。

這也標(biāo)志著紅旗達(dá)成電驅(qū)用碳化硅功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與生產(chǎn)全自主化、全國產(chǎn)化，打破了國際芯片壟斷。

在碳化硅芯片方面，紅旗應(yīng)用了高密度高可靠元胞結(jié)構(gòu)、芯片電流增強(qiáng)技術(shù)、高可靠碳化硅柵氧制備工藝、精細(xì)結(jié)構(gòu)加工工藝等，碳化硅芯片比導(dǎo)通電阻達(dá)到3.15mΩ·cm²，導(dǎo)通電流達(dá)到120A，技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平。

碳化硅晶圓生產(chǎn)線

在模塊封裝方面，紅旗應(yīng)用了行業(yè)領(lǐng)先的三端子母排疊層結(jié)構(gòu)、高可靠銅線互聯(lián)技術(shù)與高散熱橢圓PinFin散熱水道，配合大尺寸環(huán)氧樹脂轉(zhuǎn)模塑封與高耐溫銀燒結(jié)芯片貼裝工藝，實(shí)現(xiàn)模塊寄生電感≤6.5nH，模塊持續(xù)工作結(jié)溫175℃，輸出電流有效值達(dá)到550A。

紅旗圍繞新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料方面開展自主技術(shù)攻關(guān)，真正實(shí)現(xiàn)了芯片襯底與外延材料制備、芯片晶圓設(shè)計(jì)與生產(chǎn)、封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、塑封工藝開發(fā)與模塊試制等關(guān)鍵環(huán)節(jié)全流程自主可控。

功率模塊熱仿真示意圖

再加上本次全國產(chǎn)HPD碳化硅功率模塊A樣裝機(jī)成功，標(biāo)志著紅旗研發(fā)“芯”征程取得了重要突破。