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近日，韓國和美國均新增了一個SiC工廠，涉及碳化硅襯底和晶圓制造：

·STI：投資約16.4億在韓國釜山市建立一家新工廠，年產(chǎn)3萬片SiC襯底。

·阿肯色大學：總投資1.3億人民幣，碳化硅研究和制造工廠破土動工。

STI投資超16億 

建設(shè)6&8吋SiC廠

據(jù)韓媒報道，STI宣布將在釜山市建設(shè)一個年產(chǎn)3萬片SiC晶圓的新工廠，以支持韓國車規(guī)SiC的本土供應(yīng)。

據(jù)介紹，STI 將投資 3000 億韓元（約16.4億人民幣），在釜山功率半導體細分專業(yè)園區(qū)建立SiC材料生產(chǎn)工廠。該項目的一期工程占地超 16000 平方米，預(yù)計明年下半年建成。屆時，該項目將年產(chǎn)3萬片 6 英寸碳化硅襯底。

據(jù)介紹，STI 將投資 3000 億韓元（約16.4億人民幣），在釜山功率半導體細分專業(yè)園區(qū)建立SiC材料生產(chǎn)工廠。該項目的一期工程占地超 16000 平方米，預(yù)計明年下半年建成。屆時，該項目將年產(chǎn)3萬片 6 英寸碳化硅襯底。

從2025年起，STI將購置11.5萬平方米的土地以擴建8吋線，利用自身設(shè)備批量生產(chǎn)8英寸碳化硅晶錠和襯底。

STI成立于1989年，是一家熱處理設(shè)備企業(yè)，主要研發(fā)生產(chǎn)光纖基礎(chǔ)材料制造設(shè)備和石英玻璃電爐等設(shè)備。

除了碳化硅長晶外，該公司具有2項關(guān)鍵技術(shù)：

·SiC PVT長晶爐

2021年，STI 開發(fā)出用于量產(chǎn)6英寸碳化硅的長晶爐，整個研發(fā)時間為2年時間，同時還透露他們目標是在2021年內(nèi)開發(fā)出韓國首個8 英寸碳化硅長晶爐。

·碳化硅粉料合成技術(shù)

為了生產(chǎn)SiC粉料，STI 開發(fā)了氟化鈣（CaF2）制造設(shè)備，并利用高純度二氧化硅（SiO2）開發(fā) SiC 粉末合成技術(shù)。據(jù)了解，STI 已經(jīng)開發(fā)出純度為99.9998%的5N級SiC粉。

據(jù)介紹，該工廠占地 18660 平方英尺，將設(shè)有約 8000 平方英尺的潔凈室，用于SiC制造和測試；該設(shè)施預(yù)計在2025年1月完工，屆時MUSiC將全面啟用。

值得注意的是，MUSiC的首席研究員Alan Mantoth還重點強調(diào)了8英寸碳化硅晶圓的開發(fā)工作。

據(jù)了解，該SiC工廠建設(shè)計劃于2021年獲得了美國國家科學基金會（NSF）及美國陸軍研究實驗室的支持，獲得了約1800 萬美元（約1.3億人民幣）的資金支持。