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三菱電機(jī)成功開發(fā)基于新型結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2023-06-16 05:25:17

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三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布,其開發(fā)出一種集成SBDSiC-MOSFET新型結(jié)構(gòu),并已將其應(yīng)用于3.3kVSiC功率模塊——FMF800DC-66BEW,適用于鐵路、電力系統(tǒng)等大型工業(yè)設(shè)備。

該新結(jié)構(gòu)芯片有望幫助實(shí)現(xiàn)鐵路牽引等電氣系統(tǒng)的小型化和節(jié)能化,促進(jìn)直流輸變電的普及,從而為實(shí)現(xiàn)碳中和做出貢獻(xiàn)。 


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SiC功率半導(dǎo)體因其能顯著降低功率損耗而備受關(guān)注。三菱電機(jī)于2010年將搭載SiC-MOSFETSiC-SBDSiC功率模塊商用化,在空調(diào)、鐵路等多種逆變系統(tǒng)中采用了SiC功率半導(dǎo)體。


與傳統(tǒng)的芯片分開并聯(lián)方法相比,集成了SiC-MOSFETSiC-SBD的一體化芯片可以更緊湊地封裝在功率模塊內(nèi),從而實(shí)現(xiàn)功率模塊的小型化、大容量和更低的開關(guān)損耗,有望在鐵路、電力系統(tǒng)等大型工業(yè)設(shè)備中得到廣泛應(yīng)用。到目前為止,由于集成SBDSiC-MOSFET功率模塊的抗浪涌電流能力相對(duì)較低,浪涌電流只集中在某些特定的芯片上,導(dǎo)致芯片在高浪涌電流時(shí)熱損壞,因此在實(shí)際應(yīng)用中一直面臨困難。三菱電機(jī)率先發(fā)現(xiàn)了浪涌電流集中在功率模塊內(nèi)部某些特定芯片上的機(jī)理。開發(fā)了一種新的芯片結(jié)構(gòu),在這種芯片結(jié)構(gòu)中,所有芯片同時(shí)開始通流,使浪涌電流分布在各個(gè)芯片上。因此,與本公司現(xiàn)有技術(shù)相比,功率模塊的抗浪涌電流能力提高了五倍以上,獲得了與現(xiàn)有Si功率模塊同等或更高的浪涌電流耐量,從而實(shí)現(xiàn)了集成SBDSiC-MOSFET功率模塊。


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